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微电子

微电子所阻变存储器研究取得新突破

发布时间:2020-06-03   |  所属分类:微电子:论文发表  |  浏览:  |  加入收藏
  日前,微电子所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队在阻变存储器(R R A M)三维垂直交叉阵列研究领域取得了突破性进展,提出了自对准高性能自选通阻变存储器结构,为高密度、低成本三维垂直交叉阵列的制备提供了解决方案,研究论文被2016 Symposia on VLSITechnology and Circuits(简称VLSI国际研讨会)接收,第一作者许晓欣在会上进行了口头报告。这是中国科学院首次作为第一作者单位在该国际会议上发表论文。
 
  在实现阻变存储器高密度应用方面,垂直结构的交叉阵列具有制备工艺简单,成本低廉等优点。自选通阻变器件是该阵列架构的核心,一般由选通层和阻变层组成。当垂直交叉阵列极限微缩时,层间的漏电会将成为重要的问题。针对这一问题,刘明课题组在国际上首次提出了采用自对准技术构建自选通阻变器阵列架构的方法,有效消除了阵列中的层间漏电流,使垂直阻变存储阵列的微缩能力达到5n m以下。研制成功的自对准自选通阻变器件同时也表现出优良的阻变性能:漏电流<0.1p A,非线性>1000,操作电流<1u A以及具有很好的保持特性和耐久性。
 
  图为四层3D V R R A M阵列的TEM图以及4层8×32 1Kb阵列光学示意图,垂直阻变器件基于TiN/TiOx/H f O x/R u结构,具有自对准的选择层。

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